Gamintojo produkto numeris:
RN1910,LF(CT
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN1910,LF(CT-DG
Aprašymas:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount US6
Inventorius:
5988 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12889579
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN1910,LF(CT Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
4.7kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
-
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Dažnis - perėjimas
250MHz
Galia - Maks.
100mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tiekėjo įrenginių paketas
US6
Pagrindinio produkto numeris
RN1910
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN1910LF(CTTR
RN1910(T5LFT)DKR-DG
RN1910(T5LFT)TR-DG
RN1910LF(CTDKR
RN1910(T5LFT)DKR
RN1910(T5L,F,T)
RN1910LF(CTCT
RN1910(T5LFT)CT-DG
RN1910(T5LFT)TR
RN1910,LF(CB
RN1910(T5LFT)CT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN1904,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN2712JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN4991FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI