Gamintojo produkto numeris:
RN1910FE(T5L,F,T)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN1910FE(T5L,F,T)-DG
Aprašymas:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventorius:
12889612
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN1910FE(T5L,F,T) Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
4.7kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
-
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Dažnis - perėjimas
250MHz
Galia - Maks.
100mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SOT-563, SOT-666
Tiekėjo įrenginių paketas
ES6
Pagrindinio produkto numeris
RN1910
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN1910FE(T5LFT)CT
RN1910FE(T5LFT)TR
RN1910FE(T5LFT)DKR
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
NSBC143TDXV6T1G
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
NSBC143TDXV6T1G-DG
VISO KAINA
0.05
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
PUMH7,115
GAMINTOJAS
Nexperia USA Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
12777
DiGi DALIES NUMERIS
PUMH7,115-DG
VISO KAINA
0.03
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN4981FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN1507(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN2910FE,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6