Gamintojo produkto numeris:
RN1961FE(TE85L,F)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN1961FE(TE85L,F)-DG
Aprašymas:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventorius:
12891640
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN1961FE(TE85L,F) Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Tranzistoriaus tipas
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
4.7kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
4.7kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Dažnis - perėjimas
250MHz
Galia - Maks.
100mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SOT-563, SOT-666
Tiekėjo įrenginių paketas
ES6
Pagrindinio produkto numeris
RN1961
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN1961FE(TE85LF)DKR
RN1961FE(TE85LF)TR
RN1961FE(TE85LF)CT
RN1961FETE85LF
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN1704JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
DCX124EU-7
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
RN2904,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
