Gamintojo produkto numeris:
RN1964FE(TE85L,F)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN1964FE(TE85L,F)-DG
Aprašymas:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventorius:
3870 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12891430
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN1964FE(TE85L,F) Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Tranzistoriaus tipas
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
47kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
47kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Dažnis - perėjimas
250MHz
Galia - Maks.
100mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SOT-563, SOT-666
Tiekėjo įrenginių paketas
ES6
Pagrindinio produkto numeris
RN1964
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN1964FE(TE85LF)CT
RN1964FE(TE85LF)DKR
RN1964FE(TE85LF)TR
RN1964FETE85LF
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
RN1104MFV,L3F
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
7999
DiGi DALIES NUMERIS
RN1104MFV,L3F-DG
VISO KAINA
0.01
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN49A2,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1705JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
RN1963FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
