Gamintojo produkto numeris:
RN2111MFV,L3F
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN2111MFV,L3F-DG
Aprašymas:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventorius:
7550 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12891289
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN2111MFV,L3F Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienviečiai, išankstiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
PNP - Pre-Biased
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100 mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50 V
Rezistorius - pagrindas (R1)
10 kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Galia - Maks.
150 mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SOT-723
Tiekėjo įrenginių paketas
VESM
Pagrindinio produkto numeris
RN2111
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
264-RN2111MFV,L3FTR
RN2111MFVL3F-DG
RN2111MFVL3F
264-RN2111MFV,L3FDKR
264-RN2111MFV,L3FCT
Standartinis paketas
8,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
DTA114TMT2L
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
3120
DiGi DALIES NUMERIS
DTA114TMT2L-DG
VISO KAINA
0.03
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN2110ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
RN1425TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
RN1427TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
