Gamintojo produkto numeris:
RN2602(TE85L,F)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN2602(TE85L,F)-DG
Aprašymas:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventorius:
12889496
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN2602(TE85L,F) Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
10kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
10kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Dažnis - perėjimas
200MHz
Galia - Maks.
300mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SC-74, SOT-457
Tiekėjo įrenginių paketas
SM6
Pagrindinio produkto numeris
RN2602
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN2602(TE85LF)DKR
RN2602(TE85LF)CT
RN2602(TE85LF)TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IMB11AT110
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
4150
DiGi DALIES NUMERIS
IMB11AT110-DG
VISO KAINA
0.06
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
RN2902FE,LF(CT
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
3990
DiGi DALIES NUMERIS
RN2902FE,LF(CT-DG
VISO KAINA
0.02
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN1910FE,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1970FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN4901,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6