RN2709JE(TE85L,F)
Gamintojo produkto numeris:

RN2709JE(TE85L,F)

Product Overview

Gamintojas:

Toshiba Semiconductor and Storage

Detalių numeris:

RN2709JE(TE85L,F)-DG

Aprašymas:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV

Inventorius:

4000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12891510
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

RN2709JE(TE85L,F) Techninės specifikacijos

Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
47kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
22kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Dažnis - perėjimas
200MHz
Galia - Maks.
100mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SOT-553
Tiekėjo įrenginių paketas
ESV
Pagrindinio produkto numeris
RN2709

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
RN2709JE(TE85LF)TR
RN2709JE(TE85LF)CT
RN2709JE(TE85LF)DKR
Standartinis paketas
4,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
RoHS Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2510(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2504(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4905T5LFT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4604(TE85L,F)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6