Gamintojo produkto numeris:
RN2903FE(TE85L,F)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN2903FE(TE85L,F)-DG
Aprašymas:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventorius:
3450 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12890748
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN2903FE(TE85L,F) Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
22kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
22kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Dažnis - perėjimas
200MHz
Galia - Maks.
100mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SOT-563, SOT-666
Tiekėjo įrenginių paketas
ES6
Pagrindinio produkto numeris
RN2903
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN2903FE(TE85LF)TR
RN2903FE(TE85LF)CT
RN2903FE(TE85LF)DKR
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
DDA124EH-7
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
5994
DiGi DALIES NUMERIS
DDA124EH-7-DG
VISO KAINA
0.10
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DDA124EH-7
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563
RN2502(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
RN49A1(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
