Gamintojo produkto numeris:
RN2909(T5L,F,T)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN2909(T5L,F,T)-DG
Aprašymas:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Inventorius:
12890440
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN2909(T5L,F,T) Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Tranzistoriaus tipas
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
47kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
22kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Dažnis - perėjimas
200MHz
Galia - Maks.
200mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tiekėjo įrenginių paketas
US6
Pagrindinio produkto numeris
RN2909
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN2909(T5LFT)CT
RN2909(T5LFT)TR
RN2909(T5LFT)DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
NSVMUN5137DW1T1G
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
NSVMUN5137DW1T1G-DG
VISO KAINA
0.03
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
DDA144EUQ-7-F
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
DDA144EUQ-7-F-DG
VISO KAINA
0.04
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN4902FE(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN1509(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN1907,LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
