Gamintojo produkto numeris:
RN2909,LF(CT
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN2909,LF(CT-DG
Aprašymas:
PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Inventorius:
3000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12891316
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN2909,LF(CT Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
47kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
22kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
500nA
Dažnis - perėjimas
200MHz
Galia - Maks.
200mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tiekėjo įrenginių paketas
US6
Pagrindinio produkto numeris
RN2909
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN2909LF(CTCT
RN2909LF(CTTR
RN2909LF(CTDKR
RN2909,LF(CB
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN1610(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
RN1709,LF
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
RN1962FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
