Gamintojo produkto numeris:
RN4609(TE85L,F)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN4609(TE85L,F)-DG
Aprašymas:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventorius:
1333 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12889326
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN4609(TE85L,F) Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
47kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
22kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Dažnis - perėjimas
200MHz
Galia - Maks.
300mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SC-74, SOT-457
Tiekėjo įrenginių paketas
SM6
Pagrindinio produkto numeris
RN4609
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN4609(TE85LF)TR
RN4609(TE85LF)CT
RN4609(TE85LF)DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN1608(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
RN2707JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN4988(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6