Gamintojo produkto numeris:
RN4610(TE85L,F)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN4610(TE85L,F)-DG
Aprašymas:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventorius:
80 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12890079
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN4610(TE85L,F) Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
4.7kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
-
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Dažnis - perėjimas
200MHz
Galia - Maks.
300mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SC-74, SOT-457
Tiekėjo įrenginių paketas
SM6
Pagrindinio produkto numeris
RN4610
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN4610(TE85LF)CT
RN4610(TE85LF)TR
RN4610(TE85LF)DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
PUMD6,115
GAMINTOJAS
Nexperia USA Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
1037
DiGi DALIES NUMERIS
PUMD6,115-DG
VISO KAINA
0.02
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN1911(T5L,F,T)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
DCX144EU-7
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
DCX124EH-7
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
