Gamintojo produkto numeris:
RN4985FE,LF(CT
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN4985FE,LF(CT-DG
Aprašymas:
NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventorius:
259 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12889099
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN4985FE,LF(CT Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
2.2kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
47kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
500nA
Dažnis - perėjimas
250MHz, 200MHz
Galia - Maks.
100mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SOT-563, SOT-666
Tiekėjo įrenginių paketas
ES6
Pagrindinio produkto numeris
RN4985
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN4985FE,LF(CB
RN4985FELF(CTDKR
RN4985FELF(CTTR
RN4985FELF(CTCT
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
DCX123JH-7
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
DCX123JH-7-DG
VISO KAINA
0.06
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN4990(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4906FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4987FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6