Gamintojo produkto numeris:
RN4990FE,LF(CT
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN4990FE,LF(CT-DG
Aprašymas:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventorius:
12891092
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN4990FE,LF(CT Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
4.7kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
-
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Dažnis - perėjimas
250MHz, 200MHz
Galia - Maks.
100mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SOT-563, SOT-666
Tiekėjo įrenginių paketas
ES6
Pagrindinio produkto numeris
RN4990
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN4990FELF(CBDKR-DG
RN4990FE(T5LFT)DKR
RN4990FELF(CTCT
RN4990FELF(CTDKR
RN4990FELF(CBTR
RN4990FE(T5LFT)TR-DG
RN4990FELF(CBCT-DG
RN4990FE(T5LFT)TR
RN4990FE,LF(CB
RN4990FELF(CBTR-DG
RN4990FE(T5LFT)DKR-DG
RN4990FE(T5L,F,T)
RN4990FELF(CBDKR
RN4990FE(T5LFT)CT-DG
RN4990FELF(CBCT
RN4990FELF(CTTR
RN4990FE(T5LFT)CT
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN2507(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
RN4983,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1911FETE85LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6