Gamintojo produkto numeris:
SSM3J117TU,LF
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
SSM3J117TU,LF-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
Išsami aprašymas:
P-Channel 30 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Inventorius:
5279 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12890205
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SSM3J117TU,LF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
U-MOSII
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
117mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.6V @ 1mA
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
280 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
500mW (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
UFM
Pakuotė / dėklas
3-SMD, Flat Leads
Pagrindinio produkto numeris
SSM3J117
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SSM3J117TULFCT
SSM3J117TULFTR
DF5G7M2NLF(D
SSM3J117TULFDKR
SSM3J117TU,LF(T
SSM3J117TU,LF(B
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TPWR8004PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
SSM3K09FU,LF
MOSFET N-CH 30V 400MA USM
DMN1019UVT-7
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
