Gamintojo produkto numeris:
SSM3J15FU,LF
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
SSM3J15FU,LF-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Išsami aprašymas:
P-Channel 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM
Inventorius:
3484 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12890803
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
GX0k
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SSM3J15FU,LF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
π-MOSVI
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
100mA (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.7V @ 100µA
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
9.1 pF @ 3 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
150mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
USM
Pakuotė / dėklas
SC-70, SOT-323
Pagrindinio produkto numeris
SSM3J15
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SSM3J15FULFTR
SSM3J15FU,LF(T
SSM3J15FU,LF(B
SSM3J15FULFCT
SSM3J15FULFDKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TK12Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
TK10A80E,S4X
MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
TPW4R50ANH,L1Q
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
