Gamintojo produkto numeris:
SSM3J66MFV,L3XHF
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
SSM3J66MFV,L3XHF-DG
Aprašymas:
AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventorius:
14411 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12996440
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SSM3J66MFV,L3XHF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
U-MOSVI
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
800mA (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.2V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
+6V, -8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
100 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
150mW (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
VESM
Pakuotė / dėklas
SOT-723
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
264-SSM3J66MFV,L3XHFDKR
264-SSM3J66MFVL3XHFTR
264-SSM3J66MFVL3XHFDKR
264-SSM3J66MFV,L3XHFCT
264-SSM3J66MFV,L3XHFDKR-DG
264-SSM3J66MFV,L3XHFTR-DG
264-SSM3J66MFVL3XHFCT
264-SSM3J66MFV,L3XHFTR
264-SSM3J66MFV,L3XHFCT-DG
Standartinis paketas
8,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI2102A-TP
N-CHANNEL MOSFET
PSMN018-100ESFQ
NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100
R8009KNXC7G
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
