Pagrindinis
Produktai
Gamintojai
Apie DiGi
Susisiekite su mumis
Tinklaraščiai ir įrašai
Užklausa dėl kainos/Siūlymas
Lithuania
Prisijungti
Pasirinktinė kalba
Dabartinė jūsų pasirinkta kalba
Lithuania
Perjungti:
Anglų
Europa
Jungtinė Karalystė
Kongo Demokratinė Respublika
Argentina
Turkija
Rumunija
Lietuva
Norvegija
Austrija
Angola
Slovakija
litų
Suomija
Baltarusija
Bulgarija
Danija
Estija
Lenkija
Ukraina
Slovėnija
Čekų
Graikų
Kroatija
Izraelis
Juodkalnija
Rusų
Belgija
Švedija
Serbija
Baskų
Islandija
Bosnija
Vengrų
Moldavija
Vokietija
Nyderlandai
Airija
Azija / Ramiojo vandenyno regionas
Kinija
Vietnamas
Indonezija
Tailandas
Laosas
Filipinų
Malaizija
Korėja
Japonija
Hongkong
Taivanas
Singapūras
Pakistanas
Saudo Arabija
Kataras
Kuveitas
Kambodža
Mianmaras
Afrika, Indija ir Artimieji Rytai
Jungtiniai Arabų Emyratai
Tadžikija
Madagaskaras
Indija
Iranas
Prancūzija
Pietų Afrika
Egiptas
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegalas
Marokas
Tunisas
Pietų Amerika / Okeanija
Naujoji Zelandija
Portugalija
Brazilija
Mozambikas
Peru
Kolumbija
Čilė
Venesuela
Ekvadoras
Bolivija
Urugvajus
Ispanija
Paragvajus
Australija
Šiaurės Amerika
Jungtinės Amerikos Valstijos
Haitis
Kanada
Kosta Rika
Meksika
Apie DiGi
Apie mus
Apie mus
Mūsų sertifikatai
DiGi Įvadas
Kodėl DiGi
Politika
Kokybės politika
Naudojimosi sąlygos
RoHS atitiktis
Grąžinimo procesas
Ištekliai
Produktų Kategorijos
Gamintojai
Tinklaraščiai ir įrašai
Paslaugos
Kokybės garantija
Mokėjimo būdas
Pasaulinė siunta
Siuntimo kainos
DUK
Gamintojo produkto numeris:
SSM6J503NU,LF
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
SSM6J503NU,LF-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Inventorius:
2186 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12891592
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
*
Įmonė
*
Kontaktinis Vardas
*
Telefonas
*
El. paštas
Pristatymo adresas
Žinutė
(
*
) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SSM6J503NU,LF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
U-MOSVI
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
12.8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
840 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1W (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
6-UDFNB (2x2)
Pakuotė / dėklas
6-WDFN Exposed Pad
Pagrindinio produkto numeris
SSM6J503
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
SSM6J503NU
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SSM6J503NULF(TCT-DG
SSM6J503NULFTR
SSM6J503NU,LF(B
SSM6J503NULF(TDKR
SSM6J503NULFDKR
SSM6J503NU,LF(T
SSM6J503NULF(TCT
SSM6J503NULF
SSM6J503NULF(TTR-DG
SSM6J503NULF(TDKR-DG
SSM6J503NULFCT
SSM6J503NULF(TTR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
RF4C050APTR
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
5045
DiGi DALIES NUMERIS
RF4C050APTR-DG
VISO KAINA
0.20
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
PMPB29XPE,115
GAMINTOJAS
Nexperia USA Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
14231
DiGi DALIES NUMERIS
PMPB29XPE,115-DG
VISO KAINA
0.11
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TPCA8A01-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 36A 8SOP
TK65S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
DMG10N60SCT
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
2SK3462(TE16L1,NQ)
MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD