Gamintojo produkto numeris:
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
TJ40S04M3L(T6L1,NQ-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 40V 40A DPAK
Išsami aprašymas:
P-Channel 40 V 40A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventorius:
2000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12889561
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TJ40S04M3L(T6L1,NQ Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
U-MOSVI
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
40A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
9.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
83 nC @ 10 V
VGS (Max)
+10V, -20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4140 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
68W (Tc)
Darbinė temperatūra
175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DPAK+
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
TJ40S04
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TJ40S04M3LT6L1NQ
264-TJ40S04M3L(T6L1,NQCT
264-TJ40S04M3L(T6L1,NQTR
TJ40S04M3L(T6L1NQ
264-TJ40S04M3L(T6L1,NQDKR
TJ40S04M3L(T6L1NQ-DG
Standartinis paketas
2,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TK25N60X5,S1F
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
TK50E10K3(S1SS-Q)
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
SSM3J334R,LF
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
