Gamintojo produkto numeris:
TK10A60W5,S5VX
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
TK10A60W5,S5VX-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventorius:
12890608
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TK10A60W5,S5VX Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tube
Serijos
DTMOSIV
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9.7A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 500µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
720 pF @ 300 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
30W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220SIS
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
TK10A60
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TK10A60W5S5VX
TK10A60W5,S5VX(M
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
FCPF600N60Z
GAMINTOJAS
Fairchild Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
171833
DiGi DALIES NUMERIS
FCPF600N60Z-DG
VISO KAINA
1.20
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TPN4R203NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
TK9P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
TPH2900ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
