Gamintojo produkto numeris:
TK3A65DA(STA4,QM)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
TK3A65DA(STA4,QM)-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 2.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventorius:
12890578
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TK3A65DA(STA4,QM) Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tube
Serijos
π-MOSVII
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.5A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.51Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.4V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
490 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
35W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220SIS
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
TK3A65
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TK3A65DA(STA4QM)
TK3A65DASTA4QM
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TPN6R303NC,LQ
MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
TPCA8026(TE12L,Q,M
MOSFET N-CH 30V 45A 8SOP
TK13A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 13A TO220SIS
