Gamintojo produkto numeris:
TK3R1A04PL,S4X
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
TK3R1A04PL,S4X-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 82A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventorius:
61 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12889778
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TK3R1A04PL,S4X Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tube
Serijos
U-MOSIX-H
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
82A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.4V @ 500µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
63.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4670 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
36W (Tc)
Darbinė temperatūra
175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220SIS
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
TK3R1A04
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TK3R1A04PLS4X
TK3R1A04PL,S4X(S
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SSM5H16TU,LF
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
2SK2231(TE16R1,NQ)
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
2SK2719(F)
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
