Gamintojo produkto numeris:
TK560A60Y,S4X
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
TK560A60Y,S4X-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 30W Through Hole TO-220SIS
Inventorius:
12891186
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TK560A60Y,S4X Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tube
Serijos
DTMOSV
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
560mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 240µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
380 pF @ 300 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
30W
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220SIS
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
TK560A60
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TK560A60Y,S4X(S
TK560A60YS4X(S
TK560A60YS4X
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STF10N60M2
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
2606
DiGi DALIES NUMERIS
STF10N60M2-DG
VISO KAINA
0.53
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TPN3R704PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
TK750A60F,S4X
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
TK32A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
