Gamintojo produkto numeris:
TK5P60W,RVQ
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
TK5P60W,RVQ-DG
Aprašymas:
MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 5.4A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventorius:
9180 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12891043
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TK5P60W,RVQ Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
DTMOSIV
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.4A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.7V @ 270µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
380 pF @ 300 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
60W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DPAK
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
TK5P60
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TK5P60WRVQDKR
TK5P60W,RVQ(S
TK5P60WRVQTR
TK5P60WRVQCT
Standartinis paketas
2,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TK2P60D(TE16L1,NQ)
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
TPC8062-H,LQ(CM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
SSM3K72KFS,LF
MOSFET N-CH 60V 300MA SSM
