Gamintojo produkto numeris:
TK8A55DA(STA4,Q,M)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
TK8A55DA(STA4,Q,M)-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
Išsami aprašymas:
N-Channel 550 V 7.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventorius:
48 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12889254
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TK8A55DA(STA4,Q,M) Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tube
Serijos
π-MOSVII
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
550 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7.5A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.07Ohm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
800 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
40W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220SIS
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
TK8A55
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TK8A55DA(STA4QM)
TK8A55DASTA4QM
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
R5007FNX
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
212
DiGi DALIES NUMERIS
R5007FNX-DG
VISO KAINA
1.02
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SSM6J206FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
TK40P04M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 40V 40A DP
SSM3J09FU,LF
MOSFET P-CH 30V 200MA USM