Gamintojo produkto numeris:
TK9A45D(STA4,Q,M)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
TK9A45D(STA4,Q,M)-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 450V 9A TO220SIS
Išsami aprašymas:
N-Channel 450 V 9A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventorius:
50 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12890365
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TK9A45D(STA4,Q,M) Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tube
Serijos
π-MOSVII
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
450 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
770mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
800 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
40W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220SIS
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
TK9A45
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TK9A45DSTA4QM
TK9A45D(STA4QM)
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TK560P65Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
TK40A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 40A TO220SIS
TPN8R903NL,LQ
MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
