Gamintojo produkto numeris:
TPH3208PS
Product Overview
Gamintojas:
Transphorm
Detalių numeris:
TPH3208PS-DG
Aprašymas:
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventorius:
13447137
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TPH3208PS Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Transphorm
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
20A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.6V @ 300µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 8 V
VGS (Max)
±18V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
760 pF @ 400 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
96W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
TPH3208
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TP65H050WS
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
RH6P030BG
TRANS MOSFET N-CH SMD
NVBG020N120SC1
MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
