Gamintojo produkto numeris:
2N6661JTXL02
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
2N6661JTXL02-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Išsami aprašymas:
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventorius:
12881906
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2N6661JTXL02 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
90 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
860mA (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 1mA
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
50 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-39
Pakuotė / dėklas
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Pagrindinio produkto numeris
2N6661
Papildoma informacija
Standartinis paketas
20
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
2N6661
GAMINTOJAS
Solid State Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
6694
DiGi DALIES NUMERIS
2N6661-DG
VISO KAINA
4.60
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STWA65N60DM6
MOSFET N-CH 600V 38A TO247
IRFBC30ALPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK
STB14N80K5
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK