Gamintojo produkto numeris:
IRF510L
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
IRF510L-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) Through Hole TO-262-3
Inventorius:
12868639
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF510L Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.6A (Tc)
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
180 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
-
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-262-3
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Pagrindinio produkto numeris
IRF510
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
*IRF510L
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF730ASTRL
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
BUK7Y25-80E/CX
MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK56
IRFI820GPBF
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
