Gamintojo produkto numeris:
IRF530SPBF
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
IRF530SPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 14A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12907486
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF530SPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
14A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
160mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
670 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.7W (Ta), 88W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IRF530
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IRF530SPBFCT-DG
IRF530SPBFCT
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF530NSTRLPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
7118
DiGi DALIES NUMERIS
IRF530NSTRLPBF-DG
VISO KAINA
0.44
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
IRL520NSTRLPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
2858
DiGi DALIES NUMERIS
IRL520NSTRLPBF-DG
VISO KAINA
0.42
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFN62N80Q3
MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B
IRF740STRLPBF
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
IXKG25N80C
MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
