IRF630SPBF
Gamintojo produkto numeris:

IRF630SPBF

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

IRF630SPBF-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventorius:

327 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12912144
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

IRF630SPBF Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
800 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3W (Ta), 74W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IRF630

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas
50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Affected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

IRC840PBF

MOSFET N-CH 500V 8A TO220-5

vishay-siliconix

SI1058X-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 1.3A SC89-6

vishay-siliconix

SI4684DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16A 8SO

vishay-siliconix

SI3454ADV-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 3.4A 6TSOP