IRF710
Gamintojo produkto numeris:

IRF710

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

IRF710-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 400 V 2A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventorius:

12952324
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

IRF710 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
400 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
170 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
36W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IRF710

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
*IRF710
Standartinis paketas
1,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatyvūs modeliai

DALIES NUMERIS
IRF710PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
6746
DiGi DALIES NUMERIS
IRF710PBF-DG
VISO KAINA
0.37
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
diodes

DMN6013LFGQ-13

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333

vishay-siliconix

SIB414DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

vishay-siliconix

SUP60N06-12P-E3

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

nxp-semiconductors

NX2020N2115

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR