Gamintojo produkto numeris:
IRF730STRRPBF
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
IRF730STRRPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12910953
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF730STRRPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
400 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
700 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IRF730
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STB11NK40ZT4
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
4196
DiGi DALIES NUMERIS
STB11NK40ZT4-DG
VISO KAINA
0.99
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFBG20L
MOSFET N-CH 1000V 1.4A I2PAK
IRL520LPBF
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO262-3
IRF614STRL
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
