Gamintojo produkto numeris:
IRF820STRL
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
IRF820STRL-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 2.5A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12881573
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF820STRL Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
360 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IRF820
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF820STRLPBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IRF820STRLPBF-DG
VISO KAINA
0.73
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DALIES NUMERIS
IRF820STRRPBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
1546
DiGi DALIES NUMERIS
IRF820STRRPBF-DG
VISO KAINA
0.73
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFI9540G
MOSFET P-CH 100V 11A TO220-3
IRFBE30L
MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK
IRFBC40ASPBF
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK