Gamintojo produkto numeris:
IRF9Z24S
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
IRF9Z24S-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Išsami aprašymas:
P-Channel 60 V 11A (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12908504
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF9Z24S Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
280mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
570 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.7W (Ta), 60W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IRF9
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
*IRF9Z24S
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SPB18P06PGATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
2030
DiGi DALIES NUMERIS
SPB18P06PGATMA1-DG
VISO KAINA
0.44
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
IRF9Z24SPBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
3763
DiGi DALIES NUMERIS
IRF9Z24SPBF-DG
VISO KAINA
0.73
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFR9024TRL
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
IRFZ20PBF
MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
IRFR220PBF
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
