Gamintojo produkto numeris:
IRFBC30ASPBF
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
IRFBC30ASPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
2169 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12948570
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRFBC30ASPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
510 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
74W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IRFBC30
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
*IRFBC30ASPBF
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Affected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPP65R190CFD7AAKSA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
IPDD60R105CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 31A HDSOP-10
IPB65R190CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3