IRFBE20PBF-BE3

Gamintojo produkto numeris:

IRFBE20PBF-BE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

IRFBE20PBF-BE3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB

Išsami aprašymas:

N-Channel 800 V 1.8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventorius:

985 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje

12977636

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

IRFBE20PBF-BE3 Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Vishay

Pakuotė

Tube

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

800 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

1.8A (Tc)

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

6.5Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

38 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

530 pF @ 25 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

54W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

TO-220AB

Pakuotė / dėklas

TO-220-3

Pagrindinio produkto numeris

IRFBE20

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

IRFBE20PBF-BE3-DG

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

742-IRFBE20PBF-BE3

Standartinis paketas

50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

goford-semiconductor

GT6K2P10IH

MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH9R00CQH,LQ

UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM

FDS9435ANBAD008

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

rohm-semi

RD3U041AAFRATL

MOSFET N-CH 250V 4A TO252