IRFBF20LPBF

Gamintojo produkto numeris:

IRFBF20LPBF

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

IRFBF20LPBF-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK

Išsami aprašymas:

N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12906291

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

IRFBF20LPBF Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Vishay

Pakuotė

Tube

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

900 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

1.7A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

8Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

38 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

490 pF @ 25 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

3.1W (Ta), 54W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

I2PAK

Pakuotė / dėklas

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Pagrindinio produkto numeris

IRFBF20

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

*IRFBF20LPBF

Standartinis paketas

1,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

diodes

ZXMN6A09GTA

MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223

diodes

ZVP3306FTC

MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3

vishay-siliconix

2N7002E-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3

vishay-siliconix

IRF644SPBF

MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK