IRFBF30STRLPBF

Gamintojo produkto numeris:

IRFBF30STRLPBF

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

IRFBF30STRLPBF-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263

Išsami aprašymas:

N-Channel 900 V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventorius:

911 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje

12908061

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

IRFBF30STRLPBF Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Vishay

Pakuotė

Tape & Reel (TR)

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

900 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

3.6A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

78 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

1200 pF @ 25 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

125W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Surface Mount

Tiekėjo įrenginių paketas

TO-263 (D2PAK)

Pakuotė / dėklas

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pagrindinio produkto numeris

IRFBF30

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

IRFBF30STRLPBF-DG

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

IRFBF30STRLPBFCT

IRFBF30STRLPBFTR

IRFBF30STRLPBFDKR

IRFBF30STRLPBF-DG

Standartinis paketas

800

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

littelfuse

IXFT20N100P

MOSFET N-CH 1000V 20A TO268

IRC530PBF

MOSFET N-CH 100V 14A TO220-5

vishay-siliconix

IRF820LPBF

MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK

vishay-siliconix

IRFBF20SPBF

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK