IRFD014PBF
Gamintojo produkto numeris:

IRFD014PBF

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

IRFD014PBF-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventorius:

1111 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12868933
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

IRFD014PBF Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.7A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
310 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.3W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
4-HVMDIP
Pakuotė / dėklas
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Pagrindinio produkto numeris
IRFD014

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
*IRFD014PBF
Standartinis paketas
2,500

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

IRFPE50

MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3

vishay-siliconix

IRF730ASTRR

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRF830

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB

vishay-siliconix

IRF730A

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB