IRFD120PBF

Gamintojo produkto numeris:

IRFD120PBF

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

IRFD120PBF-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

Išsami aprašymas:

N-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventorius:

5890 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje

12905490

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

IRFD120PBF Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Vishay

Pakuotė

Bulk

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

100 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

1.3A (Ta)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

270mOhm @ 780mA, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

16 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

360 pF @ 25 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

1.3W (Ta)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

4-HVMDIP

Pakuotė / dėklas

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Pagrindinio produkto numeris

IRFD120

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

*IRFD120PBF

Standartinis paketas

2,500

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

diodes

ZXMN2A02N8TA

MOSFET N-CH 20V 8.3A 8SO

littelfuse

IXFN44N80

MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

vishay-siliconix

IRFD010PBF

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP

vishay-siliconix

IRF740APBF

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB