Gamintojo produkto numeris:
IRFI620GPBF
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
IRFI620GPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 4.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventorius:
790 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12914457
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRFI620GPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.1A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
800mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
260 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
30W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pagrindinio produkto numeris
IRFI620
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
*IRFI620GPBF
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
SI1473DH-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
IRFR9020TRLPBF
MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
