IRFP22N50APBF
Gamintojo produkto numeris:

IRFP22N50APBF

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

IRFP22N50APBF-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventorius:

1827 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12960003
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

IRFP22N50APBF Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
22A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
230mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3450 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
277W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247AC
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
IRFP22

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
*IRFP22N50APBF
Standartinis paketas
25

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
stmicroelectronics

STWA60N099DM9AG

MOSFET N-CH 600V 29A TO247

vishay-siliconix

SQS180ELNW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

vishay-siliconix

SI2314EDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

vishay-siliconix

IRF9Z24

MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB