Gamintojo produkto numeris:
IRFPG40
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
IRFPG40-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 4.3A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventorius:
12915365
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRFPG40 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1600 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
150W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247AC
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
IRFPG40
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
*IRFPG40
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXTH3N100P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IXTH3N100P-DG
VISO KAINA
3.72
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
STW5NK100Z
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
164
DiGi DALIES NUMERIS
STW5NK100Z-DG
VISO KAINA
2.01
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
IRFPG40PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
241
DiGi DALIES NUMERIS
IRFPG40PBF-DG
VISO KAINA
2.46
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4160DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
SI4888DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
SI4162DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
