Gamintojo produkto numeris:
IRFR110PBF-BE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
IRFR110PBF-BE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventorius:
2966 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12978885
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRFR110PBF-BE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.3A (Tc)
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
540mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
180 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252AA
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
IRFR110
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-IRFR110PBF-BE3
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Affected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMN2310UW-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
DMTH8008LFGQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
AUIRL3705ZL
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
