IRFR110PBF
Gamintojo produkto numeris:

IRFR110PBF

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

IRFR110PBF-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventorius:

1358 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12959572
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

IRFR110PBF Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
540mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
180 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DPAK
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
IRFR110

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas
75

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Affected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

IRFU010

MOSFET N-CH 50V 8.2A TO251AA

vishay-siliconix

IRFZ20

MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB

vishay-siliconix

SI1499DH-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6

vishay-siliconix

IRFD024

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP