IRFR9120PBF

Gamintojo produkto numeris:

IRFR9120PBF

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

IRFR9120PBF-DG

Aprašymas:

MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK

Išsami aprašymas:

P-Channel 100 V 5.6A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventorius:

3925 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje

12915423

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

IRFR9120PBF Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Vishay

Pakuotė

Tube

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

P-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

100 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

5.6A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

600mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

18 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

390 pF @ 25 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Surface Mount

Tiekėjo įrenginių paketas

DPAK

Pakuotė / dėklas

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Pagrindinio produkto numeris

IRFR9120

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas

75

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

REACH statusas

REACH Affected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

vishay-siliconix

SI4448DY-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 50A 8SO

vishay-siliconix

SI7852ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

vishay-siliconix

IRFS11N50APBF

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

vishay-siliconix

SI7848BDP-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8