Gamintojo produkto numeris:
IRLI630G
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
IRLI630G-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 6.2A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventorius:
12909236
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRLI630G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6.2A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4V, 5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.7A, 5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
VGS (Max)
±10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
35W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pagrindinio produkto numeris
IRLI630
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
*IRLI630G
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
RCX120N20
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
RCX120N20-DG
VISO KAINA
1.09
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
IRLI630GPBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
991
DiGi DALIES NUMERIS
IRLI630GPBF-DG
VISO KAINA
1.08
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTK120N25
MOSFET N-CH 250V 120A TO264
IRF710STRLPBF
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
IRFU9310PBF
MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA