Gamintojo produkto numeris:
SI1012X-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI1012X-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 500mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Inventorius:
10778 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12914067
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI1012X-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
500mA (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.8V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
900mV @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
0.75 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±6V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
250mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SC-89-3
Pakuotė / dėklas
SC-89, SOT-490
Pagrindinio produkto numeris
SI1012
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI1012XT1GE3
SI1012X-T1-GE3TR
SI1012X-T1-GE3CT
SI1012X-T1-GE3DKR
SI1012X-T1-GE3-DG
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI1021R-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
SI4884BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16.5A 8SO
IRFI9Z14G
MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220-3