Gamintojo produkto numeris:
SI1032X-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI1032X-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Inventorius:
6434 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12912401
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI1032X-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
200mA (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
0.75 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±6V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
300mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SC-89-3
Pakuotė / dėklas
SC-89, SOT-490
Pagrindinio produkto numeris
SI1032
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI1032X-T1-GE3TR
SI1032X-T1-GE3CT
SI1032X-T1-GE3DKR
SI1032XT1GE3
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFU310
MOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA
SI7370ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
SI7476DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
